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MPS3563G
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MPS3563G Especificaciones técnicas
TRANS NPN RF SS 12V TO92
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Supplier Device Package | TO-92 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Frequency - Transition | 1.5GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 350W |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 6.5dB @ 60MHz |
Gain | 14dB @ 200MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 8mA, 10V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "MPS35" partes
Las siguientes partes incluyen 'MPS35'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MPS35-800 | IGBT Module | Módulos IGBT | 2558 |
MPS3563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2602 |
MPS3563 | ON Semiconductor | Transistores BJT RF | |
MPS3563 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT RF | |
MPS3563G | ON Semiconductor | Transistores BJT RF | |
MPS3563G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT RF |
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