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MPS3563 Especificaciones técnicas

TRANS NPN RF SS 12V TO92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Supplier Device Package TO-92
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Frequency - Transition 1.5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 350W
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Noise Figure (dB Typ @ f) 6.5dB @ 60MHz
Gain 14dB @ 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 8mA, 10V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MPS35-800 IGBT Module Módulos IGBT 2558
MPS3563 ON Semiconductor Transistores BJT RF
MPS3563 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT RF
MPS3563G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2671
MPS3563G ON Semiconductor Transistores BJT RF
MPS3563G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT RF

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