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MJW21192
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MJW21192 Especificaciones técnicas
TRANS NPN 150V 8A TO-247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 125W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 4A, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 1.6A, 8A |
Supplier Device Package | TO-247 |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 4MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
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Las siguientes partes incluyen 'MJW21'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJW21191 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2656 |
MJW21191 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJW21191 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MJW21191G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2750 |
MJW21191G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MJW21191G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJW21192 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJW21192 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MJW21192G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2795 |
MJW21192G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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