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MJW21191G Especificaciones técnicas

TRANS PNP 150V 8A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150V
Transistor Type PNP
Power - Max 125W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 4A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 1.6A, 8A
Supplier Device Package TO-247
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 4MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJW21191 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2656
MJW21191 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJW21191 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJW21191G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJW21191G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJW21192 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2536
MJW21192 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJW21192 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJW21192G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2795
MJW21192G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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