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MJE271G Especificaciones técnicas

TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 1.5W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1500 @ 120mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 1.2mA, 120mA
Supplier Device Package TO-225AA
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 6MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJE270 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 650
MJE270 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE270G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 10545
MJE270G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE271 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2606
MJE271 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE271G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE271G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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