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MJE270G
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MJE270G Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 1.5W |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1500 @ 120mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 1.2mA, 120mA |
Supplier Device Package | TO-225AA |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 6MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
MJE270G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MJE270G
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Hojas de datos
MJE270G.pdf
Otros incluyen "MJE27" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJE27'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJE270 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 650 |
MJE270 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJE270G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJE271 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2606 |
MJE271 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJE271G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 8200 |
MJE271G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJE271G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales |
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