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IXTQ100N25P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™
Power Dissipation (Max) 600W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IXTQ1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTQ100N25P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXTQ102N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5779
IXTQ102N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5682
IXTQ102N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2675
IXTQ10P50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2714
IXTQ110N055P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2823
IXTQ110N10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2847
IXTQ110N10P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXTQ120N15P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5320
IXTQ120N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2584

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