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IXTQ102N20T
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IXTQ102N20T Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | TO-3P |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchHV™ |
Power Dissipation (Max) | 750W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 102A (Tc) |
IXTQ102N20T Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXTQ102N20T
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Hojas de datos
Otros incluyen "IXTQ1" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTQ1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTQ100N25P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2838 |
IXTQ100N25P | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXTQ102N15T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5779 |
IXTQ102N25T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2675 |
IXTQ10P50P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2714 |
IXTQ110N055P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2823 |
IXTQ110N10P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2847 |
IXTQ110N10P | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXTQ120N15P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5320 |
IXTQ120N15T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2584 |
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