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IXFN420N10T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series GigaMOS™ HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 1070W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 670nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 47000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 420A
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Otros incluyen   "IXFN4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFN4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFN40-55 IGBT Module Módulos IGBT 2911
IXFN400N15X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2752
IXFN40N110 IXYS Módulos IGBT 2556
IXFN40N110P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2849
IXFN40N110Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4543
IXFN40N20P IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2812
IXFN40N60 IXYS Módulos IGBT 2812
IXFN40N90P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2924
IXFN420N10T IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFN420N40T IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2948

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