IXFN400N15X3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 695W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 365nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 200A, 10V
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 150V 400A (Tc) 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFN40-55 IGBT Module Módulos IGBT 2911
IXFN40N110 IXYS Módulos IGBT 2556
IXFN40N110P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2849
IXFN40N110Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4543
IXFN40N20P IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2812
IXFN40N60 IXYS Módulos IGBT 2812
IXFN40N90P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2924
IXFN420N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5384
IXFN420N10T IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFN420N40T IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2948

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