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IRFD9010PBF Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 580mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
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IRFD9010PBF Documentos

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Otros incluyen   "IRFD9"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFD9' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFD9010 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2657
IRFD9010 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2551
IRFD9010 MOS IR CIs Calientes Especializados 695
IRFD9010PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2620
IRFD9010PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFD9012 IR CIs Calientes Especializados 25798
IRFD9014 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3748
IRFD9014 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2378
IRFD9014PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3242
IRFD9014PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2406

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