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IRFD9010
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IRFD9010 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
Package / Case | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 580mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
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Hojas de datos
IRFD9010.pdf
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Las siguientes partes incluyen 'IRFD9'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFD9010 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2657 |
IRFD9010 MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 695 |
IRFD9010PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2648 |
IRFD9010PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2620 |
IRFD9010PBF | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
IRFD9012 | IR | CIs Calientes Especializados | 25798 |
IRFD9014 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3748 |
IRFD9014 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2378 |
IRFD9014PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3242 |
IRFD9014PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2406 |
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