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FGB20N6S2 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 28A 125W TO263AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Switching Energy 25µJ (on), 58µJ (off)
Power - Max 125W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 30nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 40A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Td (on/off) @ 25°C 7.7ns/87ns
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Tube
Other Names FGB20N6S2_NL FGB20N6S2_NL-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 28A 125W Surface Mount TO-263AB
Current - Collector (Ic) (Max) 28A
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Otros incluyen   "FGB20"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FGB20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGB20N60SF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2720
FGB20N60SF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2535
FGB20N60SF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGB20N60SFD Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 642
FGB20N60SFD AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 3114
FGB20N60SFD ON Semiconductor IGBTs individuales
FGB20N60SFD IGBT AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 944
FGB20N60SFD-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2647
FGB20N60SFD-F085 ON Semiconductor IGBTs individuales
FGB20N60SFD_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2630

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