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FGB20N60SF Especificaciones técnicas
FGB20N60SF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Max Power Dissipation | 208W |
Base Part Number | FGB20N60 |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 208W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 40A |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.2V |
Turn On Time | 28 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 20A |
IGBT Type | Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
Switching Energy | 370μJ (on), 160μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6.5V |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Element Configuration | Single |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 600V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Max Breakdown Voltage | 600V |
Test Condition | 400V, 20A, 10 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 123 ns |
Gate Charge | 65nC |
Td (on/off) @ 25°C | 13ns/90ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Fall Time-Max (tf) | 48ns |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FGB20N60SF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FGB20N60SF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FGB20" partes
Las siguientes partes incluyen 'FGB20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FGB20N60SF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2720 |
FGB20N60SF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2535 |
FGB20N60SFD | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 642 |
FGB20N60SFD | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 3114 |
FGB20N60SFD | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
FGB20N60SFD IGBT | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 944 |
FGB20N60SFD-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2647 |
FGB20N60SFD-F085 | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
FGB20N60SFD_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2630 |
FGB20N6S2 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2581 |
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