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FGB20N60SF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 40A 208W D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 370µJ (on), 160µJ (off)
Power - Max 208W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 65nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Base Part Number FGB20N60
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C 13ns/90ns
Supplier Device Package D²PAK
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FGB20N60SF-ND FGB20N60SFTR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Field Stop
Detailed Description IGBT Field Stop 600V 40A 208W Surface Mount D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
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Otros incluyen   "FGB20"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FGB20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGB20N60SF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2720
FGB20N60SF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGB20N60SFD Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 642
FGB20N60SFD AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 3114
FGB20N60SFD ON Semiconductor IGBTs individuales
FGB20N60SFD IGBT AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 944
FGB20N60SFD-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2647
FGB20N60SFD-F085 ON Semiconductor IGBTs individuales
FGB20N60SFD_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2630
FGB20N6S2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2581

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