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FDM3300NZ Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series PowerTrench®
Power - Max 900mW
Package / Case 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 900mW Surface Mount 8-MLP (3x3)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-MLP (3x3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 10A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1610pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
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Otros incluyen   "FDM33"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDM33' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDM3300NZ Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 64061
FDM3300NZ Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
FDM3300NZ ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
FDM3300NZ MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 641

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