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FDM3300NZ Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-MLP (3x3)
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1610pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-PowerVDFN
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDM3300NZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 64061
FDM3300NZ Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 64061
FDM3300NZ Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
FDM3300NZ MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 641

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