FDB8453LZ Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3545pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 16.1A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 17.6A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names FDB8453LZDKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.1A (Ta), 50A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB8441 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23861
FDB8441 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23861
FDB8441 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB8441-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2503
FDB8441-F085 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB8441S FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2582
FDB8441_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2694
FDB8442 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22740
FDB8442 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1074
FDB8442 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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