FDB8441 Especificaciones técnicas

FDB8441 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 40V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300W
Turn On Delay Time 23 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A Ta 120A Tc
Rise Time 24ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 75 ns
Continuous Drain Current (ID) 28A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 40V
Nominal Vgs 2.8 V
Length 10.67mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 2
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 2.5MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Current Rating 80A
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 300W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 17.9 ns
Reverse Recovery Time 52 ns
Threshold Voltage 2.8V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 947 mJ
Height 4.83mm
Width 9.65mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB8441 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23861
FDB8441 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23861
FDB8441-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2503
FDB8441-F085 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB8441S FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2582
FDB8441_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2694
FDB8442 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22740
FDB8442 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1074
FDB8442 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB8442-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2610

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