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DTC123JUAT106 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package UMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Otros incluyen   "DTC12"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTC123-JS ROHM CIs Calientes Especializados 605
DTC123ECA T116 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 600282
DTC123ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2653
DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2693
DTC123ECAT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC123EE ROHM CIs Calientes Especializados 3294
DTC123EE TL ROHM CIs Calientes Especializados 29427
DTC123EEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 30000

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