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APTM10TDUM09PG Especificaciones técnicas

MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 69.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9875pF @ 25V
FET Type 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP6-P
Power - Max 390W
Package / Case SP6
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 139A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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