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APTM100A13DG Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 6mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 32.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP6
Power - Max 1250W
Package / Case SP6
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 562nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APTM100A12STG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2580
APTM100A12STG Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
APTM100A13DG Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
APTM100A13SCG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2550
APTM100A13SCG Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
APTM100A13SG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2829
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