APTM100A18FTG Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 21.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP4
Power - Max 780W
Package / Case SP4
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 372nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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APTM100A12STG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM100A13DG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2603
APTM100A13DG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM100A13SCG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2550
APTM100A13SCG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM100A13SG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2829
APTM100A13SG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
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