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APTM100H18FG Especificaciones técnicas

MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 21.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP6
Power - Max 780W
Package / Case SP6
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 372nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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