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APTM100DSK35T3G Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP3
Power - Max 390W
Package / Case SP3
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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APTM100A13DG Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
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APTM100DSK35T3G fabricantes de marca: Microsemi, Bonchip existencias, APTM100DSK35T3G precio de referencia. APTM100DSK35T3G parámetros, APTM100DSK35T3G Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el APTM100DSK35T3G Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar APTM100DSK35T3G diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, APTM100DSK35T3G tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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