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APT25GN120BG Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 67A 272W TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 800V, 25A, 1 Ohm, 15V
Switching Energy 2.15µJ (off)
Power - Max 272W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 22ns/280ns
Supplier Device Package TO-247 [B]
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 155nC
Current - Collector (Ic) (Max) 67A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT25GF100BN APT CIs Calientes Especializados 2958
APT25GF120JCU2 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2697
APT25GF120JCU2 Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT25GLQ120JCU2 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2756
APT25GLQ120JCU2 Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT25GN120B APT CIs Calientes Especializados 2960
APT25GN120B2DQ2 APT Módulos IGBT 2927
APT25GN120B2DQ2G Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2756
APT25GN120B2DQ2G Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT25GN120BG Microsemi Corporation IGBTs individuales

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