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APT25GN120B2DQ2G Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 67A 272W TMAX

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Switching Energy 2.15µJ (off)
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 155nC
Current - Collector (Ic) (Max) 67A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 22ns/280ns
Power - Max 272W
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
IGBT Type NPT, Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT25GF100BN APT CIs Calientes Especializados 2958
APT25GF120JCU2 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2697
APT25GF120JCU2 Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT25GLQ120JCU2 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2756
APT25GLQ120JCU2 Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT25GN120B APT CIs Calientes Especializados 2960
APT25GN120B2DQ2 APT Módulos IGBT 2927
APT25GN120B2DQ2G Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT25GN120BG Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2899
APT25GN120BG Microsemi Corporation IGBTs individuales

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APT25GN120B2DQ2G fabricantes de marca: Microsemi, Bonchip existencias, APT25GN120B2DQ2G precio de referencia. APT25GN120B2DQ2G parámetros, APT25GN120B2DQ2G Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el APT25GN120B2DQ2G Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar APT25GN120B2DQ2G diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, APT25GN120B2DQ2G tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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