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APT18M80B Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247 [B]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3760pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT18F60B Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2534
APT18F60S Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2607
APT18M100B Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2883
APT18M80B Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales
APT18M80S Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2773

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