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APT18M80S
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APT18M80S Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Supplier Device Package | D3Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 9A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3760pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS 8™ |
Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para APT18M80S
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Hojas de datos
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Otros incluyen "APT18" partes
Las siguientes partes incluyen 'APT18'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APT18F60B | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2534 |
APT18F60S | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2607 |
APT18M100B | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2883 |
APT18M80B | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2766 |
APT18M80B | Microsemi Corporation | Transistores MOSFET individuales |
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