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2N6990 Especificaciones técnicas

TRANS 4NPN 50V 0.8A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 4 NPN (Quad)
Power - Max 400mW
Package / Case 14-Flatpack
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package 14-Flatpack
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N699 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2517
2N6990 Microsemi Corporation Matrices BJT Transistores
2N699A 2N699 MOT/ON/ST/VISHAY CIs Calientes Especializados 3996
2N699A.B ST/MOTO CIs Calientes Especializados 8861
2N699B MOT CIs Calientes Especializados 1112

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