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IXFA12N50P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-263 (IXFA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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IXFA12N50P Documentos

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Otros incluyen   "IXFA1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFA1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFA102N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 674
IXFA10N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4099
IXFA10N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1238
IXFA110N15T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1383
IXFA12N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 341
IXFA130N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2728
IXFA130N10T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1887
IXFA130N10T2 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFA130N15X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2728
IXFA14N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 574

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