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APTM10UM02FAG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 10mA
Supplier Device Package SP6
Power Dissipation (Max) 1660W (Tc)
Package / Case SP6
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1360nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 570A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 200A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 40000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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