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APTM100DA33T1G
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APTM100DA33T1G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Supplier Device Package | SP1 |
Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
Package / Case | SP1 |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396 mOhm @ 18A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7868pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
APTM100DA33T1G Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "APTM1" partes
Las siguientes partes incluyen 'APTM1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APTM100A12STG | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2580 |
APTM100A12STG | Microsemi Corporation | Matrices de transistores MOSFETs | |
APTM100A13DG | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2603 |
APTM100A13DG | Microsemi Corporation | Matrices de transistores MOSFETs | |
APTM100A13SCG | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2550 |
APTM100A13SCG | Microsemi Corporation | Matrices de transistores MOSFETs | |
APTM100A13SG | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2829 |
APTM100A13SG | Microsemi Corporation | Matrices de transistores MOSFETs | |
APTM100A18FTG | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2514 |
APTM100A18FTG | Microsemi Corporation | Matrices de transistores MOSFETs |
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Placas Prototipo ...
Flujo, Removedor ...
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