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R6009KNX Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 535 mOhm @ 2.8A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220FM
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
R6009-00 Harwin Soportes de la Junta 2692
R6009-00 Harwin Inc. Soportes de la Junta
R6009ENJTL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2608
R6009ENX LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 781
R6009ENX C7 ROHM CIs Calientes Especializados 3842
R6009ENX MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 733
R6009KNJTL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2760

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