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R6009ENJTL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 9A LPT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 535 mOhm @ 2.8A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package LPTS (D2PAK)
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Otros incluyen   "R6009"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
R6009-00 Harwin Soportes de la Junta 2692
R6009-00 Harwin Inc. Soportes de la Junta
R6009ENX LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 781
R6009ENX C7 ROHM CIs Calientes Especializados 3842
R6009ENX MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 733
R6009KNJTL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2760
R6009KNX LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1091

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