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R6009KNJTL
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R6009KNJTL Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 535 mOhm @ 2.8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-263 |
Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
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Otros incluyen "R6009" partes
Las siguientes partes incluyen 'R6009'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
R6009-00 | Harwin | Soportes de la Junta | 2692 |
R6009-00 | Harwin Inc. | Soportes de la Junta | |
R6009ENJTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2608 |
R6009ENX | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 781 |
R6009ENX C7 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3842 |
R6009ENX MOS | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 733 |
R6009KNX | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1091 |
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