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DTA043ZMT2L Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-723
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package VMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Otros incluyen   "DTA04"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTA043EEB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
DTA043EEBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 6264
DTA043EEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA043EMT2L LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2611
DTA043EMT2L ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA043EUB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
DTA043EUBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 858
DTA043EUBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA043EUBTL IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 800
DTA043TEB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 81425

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