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SKB02N60E3266ATMA1
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SKB02N60E3266ATMA1 Especificaciones técnicas
IGBT 600V 6A 30W TO263-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 400V, 2A, 118 Ohm, 15V |
Switching Energy | 64µJ |
Reverse Recovery Time (trr) | 130ns |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 14nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 2A |
Td (on/off) @ 25°C | 20ns/259ns |
Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
Power - Max | 30W |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 12A |
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Otros incluyen "SKB02" partes
Las siguientes partes incluyen 'SKB02'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SKB02N120 | INF | CIs Calientes Especializados | 5219 |
SKB02N120 K02N120 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 644 |
SKB02N120ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2590 |
SKB02N120ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
SKB02N60 | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 1948 |
SKB02N60 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 863 |
SKB02N60ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2516 |
SKB02N60ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
SKB02N60ATMA1 | Rochester Electronics, LLC | IGBTs individuales | |
SKB02N60E3266ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs individuales |
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