SKB02N60E3266ATMA1 Especificaciones técnicas

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 30W
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 130 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 2A, 118Ohm, 15V
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 12A
Switching Energy 64μJ
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Element Configuration Single
Power - Max 30W
Max Collector Current 6A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2A
Gate Charge 14nC
Td (on/off) @ 25°C 20ns/259ns
Radiation Hardening No
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SKB02N120 INF CIs Calientes Especializados 5219
SKB02N120 K02N120 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 644
SKB02N120ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2590
SKB02N120ATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SKB02N60 INFINEON CIs Calientes Especializados 1948
SKB02N60 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 863
SKB02N60ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2516
SKB02N60ATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SKB02N60ATMA1 Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
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