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SKB02N60ATMA1 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 6A 30W TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 2A, 118 Ohm, 15V
Switching Energy 64µJ
Reverse Recovery Time (trr) 130ns
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 14nC
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2A
Td (on/off) @ 25°C 20ns/259ns
Supplier Device Package PG-TO263-3
Power - Max 30W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 12A
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Otros incluyen   "SKB02"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SKB02' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SKB02N120 INF CIs Calientes Especializados 5219
SKB02N120 K02N120 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 644
SKB02N120ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2590
SKB02N120ATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SKB02N60 INFINEON CIs Calientes Especializados 1948
SKB02N60 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 863
SKB02N60ATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SKB02N60ATMA1 Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
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