BSZ086P03NS3EGATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.1V @ 105µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4785pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description P-Channel 30V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names BSZ086P03NS3E GDKR BSZ086P03NS3E GDKR-ND BSZ086P03NS3EGATMA1DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A (Ta), 40A (Tc)
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