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BSZ086P03NS3EGATMA1
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BSZ086P03NS3EGATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 105µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4785pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Detailed Description | P-Channel 30V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Other Names | BSZ086P03NS3E GDKR BSZ086P03NS3E GDKR-ND BSZ086P03NS3EGATMA1DKR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'BSZ08'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSZ0804LSATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2484 |
BSZ084N08NS5 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 517 |
BSZ084N08NS5ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2566 |
BSZ084N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
BSZ086P03N | Infineon | CIs Calientes Especializados | 2700 |
BSZ086P03NS3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12569 |
BSZ086P03NS3E G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 25263 |
BSZ086P03NS3EG | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1326 |
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
BSZ086P03NS3G | Infineo | CIs Calientes Especializados | 57532 |
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