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BSZ086P03NS3E G Especificaciones técnicas

BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.1V @ 105µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4785pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A (Ta), 40A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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BSZ084N08NS5 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 517
BSZ084N08NS5ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2566
BSZ084N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSZ086P03N Infineon CIs Calientes Especializados 2700
BSZ086P03NS3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12569
BSZ086P03NS3EG International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1326
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