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BSZ084N08NS5ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code S-PDSO-N3
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4m Ω @ 20A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A Tc
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 80V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 63W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 31μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1820pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 40A
Max Dual Supply Voltage 80V
Avalanche Energy Rating (Eas) 76 mJ
Lead Free Contains Lead
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BSZ084N08NS5ATMA1 Documentos

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Las siguientes partes incluyen  'BSZ08' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSZ0804LSATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2484
BSZ084N08NS5 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 517
BSZ084N08NS5ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2566
BSZ086P03N Infineon CIs Calientes Especializados 2700
BSZ086P03NS3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12569
BSZ086P03NS3E G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25263
BSZ086P03NS3EG International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1326
BSZ086P03NS3EGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2676
BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSZ086P03NS3G Infineo CIs Calientes Especializados 57532

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