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BFP 640FESD E6327
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BFP 640FESD E6327 Especificaciones técnicas
TRANS RF NPN 46GHZ 4.7V TSFP-4-1
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.7V |
Supplier Device Package | 4-TSFP |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | - |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 46GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
Gain | 8B ~ 30.5dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
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Hojas de datos
Otros incluyen "BFP 6" partes
Las siguientes partes incluyen 'BFP 6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BFP 620F E7764 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2511 |
BFP 620F E7764 | Infineon Technologies | Transistores BJT RF | |
BFP 640 H6433 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2781 |
BFP 640 H6433 | Infineon Technologies | Transistores BJT RF | |
BFP 640FESD E6327 | Infineon Technologies | Transistores BJT RF | |
BFP 650F E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2625 |
BFP 650F E6327 | Infineon Technologies | Transistores BJT RF |
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