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BFP 640 H6433 Especificaciones técnicas

RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
Terminal Form GULL WING
Base Part Number BFP640
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Configuration SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type NPN
Gain 24dB
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Frequency - Transition 40GHz
Collector-Base Capacitance-Max 0.2pF
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case SC-82A, SOT-343
Transistor Element Material SILICON GERMANIUM
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Number of Terminations 4
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code compliant
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 30mA 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.5V
Transition Frequency 40000MHz
Highest Frequency Band C B
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BFP 620F E7764 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2511
BFP 620F E7764 Infineon Technologies Transistores BJT RF
BFP 640 H6433 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2781
BFP 640FESD E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2634
BFP 640FESD E6327 Infineon Technologies Transistores BJT RF
BFP 650F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2625
BFP 650F E6327 Infineon Technologies Transistores BJT RF

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