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BFP 640FESD E6327 Especificaciones técnicas

RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Reach Compliance Code compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F4
Operating Temperature (Min) 150°C
Configuration SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type NPN
Gain 8B ~ 30.5dB
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Frequency - Transition 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 4-SMD, Flat Leads
Transistor Element Material SILICON GERMANIUM CARBON
Part Status Obsolete
Number of Terminations 4
Terminal Position DUAL
Base Part Number BFP640
Operating Temperature (Max) 150°C
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 30mA 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.7V
Transition Frequency 46000MHz
Highest Frequency Band X B
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Las siguientes partes incluyen  'BFP 6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BFP 620F E7764 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2511
BFP 620F E7764 Infineon Technologies Transistores BJT RF
BFP 640 H6433 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2781
BFP 640 H6433 Infineon Technologies Transistores BJT RF
BFP 640FESD E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2634
BFP 650F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2625
BFP 650F E6327 Infineon Technologies Transistores BJT RF

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