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SPD04P10PLGBTMA1 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET P-CH 100V 4.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 38W Tc
Power Dissipation 38W
Turn On Delay Time 4.6 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850m Ω @ 3A, 10V
Halogen Free Not Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A Tc
Rise Time 5.7ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) -4.2A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Max Dual Supply Voltage -100V
Drain to Source Breakdown Voltage -100V
Height 2.35mm
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series SIPMOS®
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 380μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 372pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 18 ns
Threshold Voltage -1.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.85Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 57 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPD04N10PG International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10329
SPD04N50C3 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 46415
SPD04N50C3 04N50C3 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1290
SPD04N50C3 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1125
SPD04N50C3ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2573
SPD04N50C3ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
SPD04N50C3BTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
SPD04N50C3T International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2736
SPD04N60C2 INF CIs Calientes Especializados 2447
SPD04N60C3 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 68140

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