IRFHS9351TRPBF Especificaciones técnicas

INFINEON IRFHS9351TRPBF Dual MOSFET, Dual P Channel, -5.1 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.8 VNew

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation 1.4W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 10μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 6.3 ns
Threshold Voltage -1.8V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.1A
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
FET Feature Logic Level Gate
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VQFN Exposed Pad
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Base Part Number IRFHS9351PBF
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1.4W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170m Ω @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
Rise Time 30ns
Fall Time (Typ) 7.9 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.17Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs -1.8 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRFHS8242TR2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1128
IRFHS8242TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7009
IRFHS8242TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFHS8242TRPBF MOS IR CIs Calientes Especializados 28605
IRFHS8242TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 1459
IRFHS8342TR2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16081
IRFHS8342TRPB International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 4329
IRFHS8342TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12662
IRFHS8342TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFHS8342TRPBF MOS IR CIs Calientes Especializados 1954

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