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IRFHS8342TR2PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package 6-PQFN (2x2)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 8.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta)
Package / Case 6-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta), 19A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFHS8242TR2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1128
IRFHS8242TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7009
IRFHS8242TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFHS8242TRPBF MOS IR CIs Calientes Especializados 28605
IRFHS8242TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 1459
IRFHS8342TRPB International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 4329
IRFHS8342TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12662
IRFHS8342TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFHS8342TRPBF MOS IR CIs Calientes Especializados 1954
IRFHS8342TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 52135

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