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IRFHS8242TRPBF
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IRFHS8242TRPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Supplier Device Package | 6-PQFN (2x2) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 8.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 653pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta) |
Package / Case | 6-PowerVDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Ta), 21A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IRFHS'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFHS8242TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1128 |
IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFHS8242TRPBF MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 28605 |
IRFHS8242TRPBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 1459 |
IRFHS8342TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16081 |
IRFHS8342TRPB | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 4329 |
IRFHS8342TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12662 |
IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFHS8342TRPBF MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 1954 |
IRFHS8342TRPBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 52135 |
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